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本文重点对以铟锌氧化物作为沟道层的氧化物薄膜晶体管进行研究,首先进行了沟道层、绝缘层材料的制备和性能分析,然后再结合掩模制备了薄膜晶体管器件,从沟道层制备条件、器件结构方面对薄膜晶体管性能进行了优化。首先,在室温下于玻璃基板上采用直流反应磁控溅射In/Zn合金靶材制备了IZO薄膜。测试表明所制备的IZO薄膜均为非晶结构,且表面平整。通过在沉积过程中适当调节氧气压强,a-IZO薄膜电阻率可以在10-3～106Ω·cm范围变化；α-IZO薄膜具有良好的光学透明性,在可见光范围内平均透射率可达87%；通过拟合外推计算得到α-IZO薄膜的光学禁带宽度大致为3.34～3.62 eV,介于In2O3和ZnO之间。直流反应磁控溅射制备的α-IZO薄膜在光学性能和电学性能方面均能满足薄膜晶体管的要求。其次,在室温下于玻璃基板上采用脉冲等离子体沉积法制备了Si02薄膜。通过电容-电压测试计算得到在氧气压强为2.4×10-2Pa,2.6×10-2Pa,2.8×10-2Pa三种条件下制备的SiO2薄膜的相对介电常数分别为3.82、3.88、3.92；SiO2薄膜具有良好的光学透明性,在可见光范围内平均透射率可达87%。脉冲等离子体沉积法制备的SiO2薄膜具有较好的光学性能和介电性能,有希望作为绝缘层应用于薄膜晶体管。最后,基于沟道层和绝缘层研究之上结合掩模制备了薄膜晶体管,研究了沟道层制备条件以及器件结构对薄膜晶体管性能的影响,得到以下结论：1)以5.0×10-2Pa氧气压强制备的α-IZO作为沟道层的薄膜晶体管的输出特性最佳,具有明显的饱和现象,并且在相同的偏压下具有较大的输出电流；所以认为5.0×10-2Pa的氧气压强是制备α-IZO沟道层的最佳条件。2)由于具有较为平整的沟道层-绝缘层界面,顶栅结构薄膜晶体管各项性能全面优于底栅结构薄膜晶体管。该薄膜晶体管工作在n型沟道增强模式,电流开关比约为103,阈值电压Vth,为0.57 V,场效应迁移率为4.08cm2v-1s-1。