本文利用蒙特卡洛方法，研究了半导体中载流子的迁移输运过程。半导体是所有各类固体材料中最令人感兴趣和最有用的—类，对半导体材料中载流子迁移输运过程的研究，将有助于深刻地揭示出半导体材料微观过程的实质，从深层次上理解和掌握影响材料性能的因素。在我们的蒙特卡洛模型中，我们提出要考虑样品对光的吸收和载流子在Brillouin区边界的Bragg反射，并考虑了近自由电子模型这种能带结构。根据我们的分析和有关实验的结论，在我们的模型中，我们考虑了声学声子这种散射机制。在此基础上，我们以金刚石材料为例子，通过用模拟结果与相关实验比较分析，验证了我们所建模型的合理性和正确性。我们研究并确定了在蒙特卡洛模拟方法中采用的载流子数目，讨论了半导体内载流子的加速输运过程和匀速输运过程，并利用蒙特卡洛模拟方法研究材料厚度、外加电场强度以及温度对半导体内载流子迁移输运过程的影响。我们研究发现：对半导体材料而言，在低场下，半导体材料内载流子的加速迁移阶段仅持续一段时间，而后能量趋于稳定，进入匀速输运阶段；载流子的能量随着材料厚度的增加而增大，但当其厚度达到一定值时，其内载流子的能量就不再增大；载流子的能量随着外加电场强度的增大而增加，但当外加电场的强度增大到一定值后，载流子的能量也不再增大，保持几乎不变；载流子的飞行时间首先随着电场强度的增大而减小，当电场强度增加到一定值以后，载流子的飞行时间开始随着电场强度的增大而增加；随着温度的升高，载流子的能量逐渐减小；在较低的温度范围内，随着温度的升高，载流子的飞行时间逐渐减小，当温度升高到一定值以后，载流子的飞行时间开始随着温度的升高而增大。