BaxSr1-x TiO3(BST)是一种性能优良的铁电材料,在微波领域有非常广泛的应用。本文采用射频磁控溅射法在Si衬底上成功制备了BST薄膜,并研究了不同溅射工艺参数对薄膜结构及介电性能的影响,总结了最佳溅射工艺。射频磁控溅射溅射的BST薄膜,在(111)晶面择优取向生长。退火处理可以使BST薄膜结晶度更高,晶粒生长更加完整,能很好地释放薄膜生长过程中所造成的内应力。衬底温度越高,薄膜结晶越好。高氧氩比的溅射气氛有利于Sr、Mg、O原子的沉积,而在低氧氩比的溅射气氛中,Ba、Ti原子的沉积速率较快。高氧氩比气氛溅射的薄膜表面有针孔出现,质量不如低氧氩比气氛中溅射的薄膜。薄膜内部晶粒的发育状况不如表面晶粒,其粒径很小,而且晶粒与晶粒之间还存在一定的非晶成分。衬底温度对薄膜的沉积速率影响较小,在功率250W、溅射气压1.5Pa、氧氩比为1/3的溅射工艺下,估算薄膜的沉积速率大约为16nm/min。BST薄膜在微波频率下(10GHz左右)的介电常数大约在500～800之间,介电损耗在0.03～0.08之间。综合介电常数和介电损耗两方面,其中衬底温度为600℃、氧氩比为1/3工艺条件下溅射的薄膜介电性能最佳。