超辐射发光二级管因其大的输出功率、较宽的光谱、短的相干度等优良特性,广泛应用于光纤陀螺、光学层析成像系统、波分复用系统及光处理系统中。目前对超辐射发光二极管的理论研究已经比较成熟,而对更高性能的器件需求迫使我们从器件的工艺和结构上进行努力,因此本文重点研究了SLD的工艺过程,并得到以下结果:在倾斜脊条结构的超辐射发光二级管的工艺制作过程中,比较关键的工艺过程主要有:一、光刻波导工艺,为了减少光在波导传输过程中的损失,应尽量保证波导边缘的光滑,因此在光刻波导时,要求显影后光刻胶边缘条形清晰,在其它参数选择合适的基础上,通过比较发现采用MF320:H₂O（2:1）稀释显影液的情况,可以得到条形清晰,边缘无明显缺陷的结果,而且实验过程也比较容易控制;二、波导台面的腐蚀,在台面腐蚀的过程中分别进行了分步湿法腐蚀、非选择性的湿法腐蚀与干法湿法腐蚀相结合三种方法,最后得出分步的湿法腐蚀所得出的结果台面腐蚀角度较小,平整度比较高,基本能达到器件的要求;三、欧姆接触工艺,使用圆形传输线法对不同的掺杂浓度的P-InGaAs材料溅射Ti-Au材料进行实验,在不同的温度下退火,得出在掺杂浓度在1.5×10¹⁹cm^-3。的材料,在350℃温度下退火,欧姆接触测得的结果是其比接触电阻最低能达到1.74×10^-5Ω·cm²。通过使用不同的对InGaAs材料表面处理的方法,得出在使用腐蚀处理合适的厚度后,材料的接触特性有明显的改进。在随后制得的器件管芯的Ⅰ-Ⅴ特性测试中,发现使用350℃快速退火和制作P型电极前做表面处理,可以改善器件的电学特性。对器件性能的测试主要测量了器件的发光光谱和光功率曲线,在150mA的CW测试下,各脊条倾斜角度不同的器件的发光中心波长都在1.3um,最大的光谱宽度能达到104.3nm,在室温下测得的光功率最大也接近10mW。蒸镀增透膜能够有效地增强超辐射发光器件的光学性能,本文通过通过对光学膜优化设计方法的研究,以及对各优化设计方法实例结果的分析,得出使用PA算法优化设计出的光学膜性能比较优良,蒸镀的膜层可以比较少,结果比较理想。最后设计出的增透膜层为5层,最小的反射率为0.8%,反射光谱宽度为90-100nm,各膜层厚度均为规则厚度（d=λ/4）。