紫外光电探测器以其尺寸小、能耗低和灵敏度高等优点已成为光电探测器的研究热点。作为一种典型的多功能氧化物半导体,SnO₂具有优良的气敏性和光学特性,被广泛的应用到气体传感器、太阳能电池等领域。但对其微纳米结构中的光电导等微观机制尚不明确,本实验旨在探索基于SnO₂纳米材料高选择性和灵敏度的紫外光电探测器以及阻变存储器,通过系统的实验分析揭示其微观机制,并利用稀土钐掺杂对其性能进行一些调制。主要结论及创新点如下:（1）本文通过高温碳热还原法和原位化学气相反应法分别制备了SnO₂纳米线和SnO₂:Sm纳米线。将单根SnO₂纳米线制备成场效应管器件,经分析测定,SnO₂纳米线为n型半导体,其电子迁移率大约为220 cm2V-1s-1。（2）将所制得的纳米线制备成两端器件,光电导性能测试表明SnO₂纳米线能够展现很强的紫外光电响应。此外,器件在零偏压下对可见光也具有很好的光响应,表明SnO₂纳米线可以被用作自供能光电探测器。SnO₂:Sm纳米线的光电导性能要劣于纯SnO₂纳米线,而且具有明显的持续光电导现象。（3）阻变存储性能测试出SnO₂:Sm纳米线具有优异的电阻开关效应,并且具有很好的存储稳定性,表明SnO₂:Sm纳米线可以被用作阻变存储器件。（4）静态和动态应变下压阻性能测试表明SnO₂:Sm纳米线具有明显的压阻效应。压应变下器件的电阻率减小,而张应变下电阻率增大。SnO₂纳米线并未表现出明显的压阻效应。（5）气敏传感性能研究表明在纯及钐掺杂两种SnO₂纳米线在常温下对乙醇气体都具有较好的响应度。SnO₂纳米线的电阻率呈减小趋势,然而SnO₂:Sm纳米线的电阻率增大。