近壁方柱绕流是在化工、航空、动力机械、电子、能源和石化等工业领域广泛存在的一种现象。研究近擘方体绕流的意义小仅在于其应用较为广泛，还在于相关流动分离、再附、旋涡脱落等现象在近壁干涉作用下所表现出来的复杂特征具有很强的理论意义和学术价值。　　 本文首先在风洞实验台上，综合采用速度和压力动态信号测量技术，对不同间隙比下的近擘方柱尾迹非定常流场进行测量。通过多种数据处理方法分析了不同间隙比时尾迹流场的非定常特性，揭示了壁而对近壁方柱尾迹流场的影响。然后在水槽实验台上，采用高分辨率PIV和时间分辨PIV等先进流动测量技术，考察了低雷诺数下壁面对近壁方柱尾迹流场的影响。通过时均速度场、脉动速度场和涡强度场的比较分析，进一步揭示了近壁干涉作用对尾迹流场结构、旋涡脱落特性以及旋涡结构特性的影响。　　 本文发展了用于湍流相干结构分析的本征正交分解技术，并建立了一套完整的模态分析方法。本征正交分解技术能够有效地捕捉流场中相干结构的信息，本文将其运用到壁面脉动压力场和尾迹速度场的分析中，获得了壁面脉动压力场和尾迹速度场的特征模态，通过对特征模态及其系数的探讨，进一步揭示了壁面对近壁方柱尾迹中大尺度旋涡结构时空特性的影响。本文提出了一种用于POD滤波时判断截断阶数的方法，利用该方法进行流场低阶重构可以获得明显的滤波效果，同时能够较完整地保留流场中大尺度结构的信息。　　 风洞实验结果表明：在G/D=0.25时，旋涡脱落被抑制，而在G/D=0.5时仍有旋涡脱落产生，临界间隙比介于G/D=0.25-0.5之间。水槽实验结果也表明，临界间隙比介于G/D=0.2-0.4之间，这一临界间隙比与前人的结论基本一致。　　 随着间隙比的减小，近壁干涉作用加剧，下剪切层内的流动受壁面的影响越来越强烈，旋涡结构的能量也不断被削弱；当间隙比低于临界问隙比时，上下剪切层因旋涡结构能量悬殊而无法形成耦合关系，最终导致旋涡脱落被抑制。旋涡脱落抑制以后，上剪切层再附到下游壁面。风洞实验中，G/D=0.25时上剪切层的时均再附点位于XR/D=9.25，而在水槽PIV实验中，间隙比G/D=0.2和0.1时的时均再附点分别位于xR/D=6.5和7.25。热线风速仪和壁面脉动压力传感器均测量到，卡门涡街脱落的无量纲频率为St=0.13，输运速度为Uc/Uo=0.64;水槽实验测量得到的旋涡脱落的无量纲频率为St=0.12，输运速度为Uc/Uo=0.55。　　 本征正交分解分析表明：在旋涡脱落未被抑制时，流场中最具能量的结构是从方柱上下剪切层内脱落的卡门涡；当间隙比减小到低于临界间隙比时，旋涡脱落被抑制，这时上剪切层内的“K-H”涡成为流场中的主导结构。这种旋涡结构的能量较弱，测量得到其无量纲频率为St=0.116。从脉动压力场本征正交分解得到的模态可知，卡门涡街的波长约为k=5D，“K-H”涡的波长略有增长，为y=5.5-6D。此外，根据TR-PIV速度场本征正交分解前两阶模态的系数，对流场进行了相位分析。在采用POD进行流场滤波时，根据模态系数的功率谱及相干系数，选择合理的截断阶数进行流场重构，能够最大限度地保留大尺度相干结构的成分，同时尽可能少地引入其它无关的结构或噪声，取得了理想的滤波效果。对滤波后的脉动压力场进行互相关分析表明：卡门涡的输运速度为Uc/Uo=0.64；“K-H”涡的输运则存在一个加速过程，在形成区内输运速度为Uc/Uo=0.32，而形成以后的输运速度与卡门涡的输运速度一致。