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CdTe具有良好的光电学性质和化学性质，因此成为制备高效率、低成本的多晶薄膜太阳电池理想的吸收层材料。本文针对CdTe薄膜，研究了其制备工艺、掺杂和后处理条件对薄膜结构、形貌和光电学性质的影响。本论文首先采用近距离升华法在不同基片上制备CdTe薄膜，研究了不同工艺条件和参数对CdT。薄膜性质的影响。其次，在常温下，本征CdTe薄膜均为高阻半导体。为了改善其导电性能，通常向CdTe薄膜中掺入施主或受主杂质，其中离子注入技术是掺杂方法之一。目前，用离子注入的方法在CdTe薄膜中掺杂的文献报道的很少。本工作目的就是采用离子束注入的方法对纯CdTe薄膜进行不同金属元素的掺杂及热处理，研究其结构和光电特性。