随着基于脉冲宽度调制（PWM）逆变电源的广泛应用,由电力电子开关器件高频通断引起的电磁干扰（EMI）问题愈发严重。为保障敏感设备的正常工作,系统的EMI必须被限制在相应标准要求的范围之内,因此针对EMI问题的研究具有重要意义。传导EMI的研究包含两大类,即EMI预测技术和EMI抑制技术。在EMI预测方面,传统频域建模方法在干扰源的建模过程中忽略了高频谐振的影响,且将差模EMI和共模EMI的传导路径分开考虑,从而忽略了混模EMI的影响,这限制了传统频域模型的预测精度。在EMI抑制方面,由于有源抑制技术能从源头上有效改善EMI的低频特性,从而减小EMI滤波器的体积和重量,然而仅能在低频段取得明显的抑制效果,对于高频段EMI其抑制效果极其有限。针对上述技术瓶颈,本文以三相两电平逆变器为研究对象,深入分析了传导电磁干扰的产生机理并提出了相应的抑制措施。为解决传统频域建模方法的预测精度问题,本文提出了一种高精度频域建模方法,从干扰源和传导路径两方面提高了模型的预测精度。针对开关管电压波形中存在的高频谐振现象,提出在开关函数中引入高频函数的方法,有效提高了干扰源的预测精度。针对传导路径,提出在模型中综合考虑正、负母线对地电容的影响,进一步提高了模型的预测精度。为明确三相两电平逆变器混模EMI的产生机理,本文提出了基于端口等效电路模型的混模EMI分析方法,指出了混模EMI的主要影响因素。在提出的频域预测模型的基础上,推导了系统的端口等效电路模型,且模型中所有参数均由各元器件高频杂散参数变换得到,因此端口内部结构清晰,便于进行混模EMI分析。由此得到混模EMI的定量分析表达式,并指出混模EMI为由差模干扰源引起的共模EMI,且开关管对地电容的大小会显著影响三相两电平逆变器的混模EMI,从而解释了正、负母线的对地电容存在显著差异时传统频域预测模型失效的原因。针对GJB 151和GJB 152标准的特殊要求,本文分析了三相两电平逆变器的的低频段EMI特性,指出了负载工况对干扰源和传导路径的影响,由此提出了基于直流电容设计的低频段EMI抑制技术。针对25 Hz～150 k Hz频段范围内差模EMI的特性进行分析,指出不平衡负载工况会在差模电流干扰源中产生2倍基波频次的低频谐波。针对25Hz～150 k Hz频段范围内共模EMI的特性进行分析,指出不平衡负载工况会恶化共模电压干扰源的低频特性,但共模传导路径基本不受影响。在上述分析的基础上提出了基于直流电容设计的低频段EMI抑制技术,通过对直流电容的合理设计,在有效抑制不平衡负载工况下三相两电平逆变器低频段EMI的同时避免直流电容的过设计。针对三相两电平逆变器的共模EMI问题,本文提出了基于三相四桥臂拓扑结构的有源抑制技术。通过统计学方法对开关管的动作延时进行分析,指出开关管的动作延时与直流侧电压以及流过开关管电流的大小无关,只与流过开关管电流的方向有关,进而提出了用于补偿开关管动作延时的调制优化算法,有效改善了第四桥臂的补偿效果。在此基础上结合传统无源EMI滤波技术,使装置的EMI能够满足相应EMC标准的要求。