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氧化锌(ZnO)是一种多功能宽带隙氧化物半导体材料,激子结合能为60meV,具有六方纤锌矿结构。它具有良好的透明导电性,非常适合用于制作短波长发光器件。还具有压电、光电、气敏、压敏特性,且易于与多种半导体材料实现集成化,因此在许多方面具有实用价值。本论文主要工作是ZnO薄膜和Mn、Co掺杂ZnO薄膜制备和光学性质研究。 采用溶胶-凝胶法制备高纯的靶材,利用PLD法生长薄膜,成功地在Si和SiO_2衬底上生长了高质量的ZnO薄膜和Mn、Co掺杂的ZnO薄膜,系统的研究了衬底