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本文利用微磁学模拟的方法对感应式薄膜磁头极尖用FeAlN材料磁导率的高频响应和MRAM中一个存储单元的存储性能进行了研究。
本研究对象是介观纳米晶软磁薄膜。因此在详细分析软磁薄膜各向异性场形成机理的基础上，采用随机各向异性模型，选取交换长度尺度上的团簇来代替纳米晶粒作为微磁学研究的基本单元。模型中仔细考虑了薄膜内和薄膜间的静磁相互作用，并分别用来模拟薄膜磁头的极尖部分和MRAM中隧道结的多层膜结构。
笔者还研究了自由层薄膜的面积与MRAM存储性能的关系。