【摘 要】
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阻变效应可以应用于阻变存储器件、人工神经网络的突触可塑性模拟器件,在存算一体化领域展现出一定的应用前景,近年来成为功能材料研究领域的热点之一。另外,日盲探测可用于导弹飞行轨迹探测、闪电及火源等探测,对于国防和减灾防灾具有重要意义。氧化镓是一种二元金属氧化物,属于第三代宽禁带半导体材料,适用于制备大功率、高频抗辐射电子器件。它作为一种阻变材料,禁带宽度约为4.9电子伏特,吸收波长对应日盲波段,可用于
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阻变效应可以应用于阻变存储器件、人工神经网络的突触可塑性模拟器件,在存算一体化领域展现出一定的应用前景,近年来成为功能材料研究领域的热点之一。另外,日盲探测可用于导弹飞行轨迹探测、闪电及火源等探测,对于国防和减灾防灾具有重要意义。氧化镓是一种二元金属氧化物,属于第三代宽禁带半导体材料,适用于制备大功率、高频抗辐射电子器件。它作为一种阻变材料,禁带宽度约为4.9电子伏特,吸收波长对应日盲波段,可用于制作阻变器件和日盲探测器件。研究氧化镓的阻变特性和日盲探测对于氧化镓用于阻变存储器件和日盲探测器件具有重要意义。本文针对氧化镓在阻变器件和日盲探测器件中的应用,开展了对氧化镓薄膜的阻变特性和日盲探测研究,首先采用溶胶-凝胶法制备了氧化镓薄膜、氧化镍薄膜,然后制备了基于氧化镓薄膜、氧化镓/氧化镍复合薄膜的两种阻变器件和日盲探测器件样品,最后对器件样品进行了实验测试。实验结果总结如下:（1）采用溶胶-凝胶法制备了氧化镓、氧化镍薄膜,对氧化镓薄膜做了具体表征,测试结果表明制作的薄膜是氧化镓薄膜;（2）对于银电极氧化镓阻变层器件（Ag/Ga2O3/FTO）的测试表明:它具有典型的双极型阻变特性,与磁控溅射法制备的氧化镓薄膜阻变器件的研究结果一致;采用氧化镓/氧化镍复合阻变层替代纯氧化镓阻变层,可以降低器件的软击穿电压;（3）采用不同的复位截止电压,会使高阻态呈现多阶特性;采用不同的置位限制电流,则会使低阻态呈现出多阶特性;显然,这种阻态的多阶特性可以用于多级存储;（4）硅衬底的氧化镓介质层日盲探测器件对254纳米的日盲光具有稳定的响应曲线,可用于日盲探测,而用氧化镓/氧化镍复合介质层代替氧化镓介质层,虽然可以改善日盲探测器件响应时间,但却使暗电流增大接近一个数量级。
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