以GaN和SiC材料为代表的第三代半导体材料,具有带隙宽(>2.3eV)、导热性好和电子漂移饱和速度高等优点,能用于制作耐高温、抗辐射、高频、大功率的基器件;由于第三代半导体材料带隙宽,因此还可以用来制作蓝紫光器件。HVPE生长速率高。可用于GaN厚膜的生长,从而制备Ga N同质衬底,从而大大提高GaN基光电器件的性能。本文重点是通过用FLUENT仿真,得到一个优化的腔体结构。本次实验的模拟采用的FLUENT软件是一款用于计算传热问题和流体力学的软件。本文针对卧式HVPE生长系统,根据实际实验得到的数据建立了卧式HVPE反应室二维栅格结构,并对此栅格的结构进行了合理的优化和调整。建立了反应各组成成分和平衡化学反应的化学数据库结构,并进行了模拟。模拟了包括1、衬底到氯化镓入口距离系列;2、氯化镓气体进气口直径系列;3、衬底角度系列的氮化镓生长速度以及均匀性。得到了上述反应腔体结构的优化参数,在此参数条件下生长的Ga N膜均匀性和质量较好。