半导体纳米晶体(量子点)及其应用是当前的研究热点之一。本论文主要做了以下三方面工作:(1)探索了量子点掺杂光纤的制备方法。制备了一种CdSe/ZnS量子点掺杂光纤,测量了不同掺杂浓度和光纤长度下的量子点光致荧光光谱,得到了荧光峰值波长的红移随量子点光纤掺杂浓度和光纤长度的变化。观测对比了四种不同纤芯本底材料(UV胶、甲苯、正己烷、正癸烷)随光纤长度增加的红移,发现在不同的本底材料中,红移随光纤长度的增加的速率不同。在不同本底材料和不同的掺杂浓度下,最大红移均趋向于20nm的同一饱和值,该饱和值取决于量子点第一吸收峰的FWHM。(2)制备了一种以紫外(UV)固化胶为纤芯本底的CdSe/ZnS量子点掺杂光纤。通过测量不同掺杂浓度和光纤长度下的量子点光致荧光光谱,得到了荧光峰值强度与量子点掺杂光纤浓度和长度的关系,确定了UV胶纤芯本底下的量子点的吸收系数、合适的掺杂浓度和光纤长度。结果表明:UV胶在光纤中具有吸收小、收缩率低、与石英光纤包层折射率匹配、性能稳定等特点,是一种比较理想的实验室制备量子点光纤纤芯本底的材料。(3)制备了一种CdSe/ZnS量子点掺杂光纤放大器。采用纵向单泵浦方式,测量了不同掺杂浓度、不同光纤长度下的信号光增益。在功率为100mW、473nm波长的半导体激光器泵浦作用下,在光纤长度为7cm、量子点掺杂浓度为0.038mg/mL时,实测的波长658nm的信号光功率增益为3.8dB。本文的研究为研制量子点光纤放大器提供了必要的实验基础和理论分析,对制备高性能的量子点掺杂光纤有一定的指导和借鉴作用。