ITO薄膜由于有良好的透明导电性能,目前已被成功的应用在显示器、触摸屏和太阳能电池等领域,但仍有部分影响薄膜光电性能的因素和作用机理缺少研究。本文通过射频磁控溅射法在Ar/Ar+H₂气氛、不同衬底温度（T_s）下制备了不同膜厚的ITO薄膜,并分别在Ar和空气中进行退火处理,研究了T_s、膜厚、H₂流量、退火气氛和退火温度对薄膜透明导电性能的影响。得到的主要结果如下:当在Ar气氛下沉积时,随着衬底温度的升高,ITO薄膜的厚度变化不大,但结晶性逐渐提高,其择优取向逐渐由（400）晶面转变为（211）晶面。对其透明导电性能而言,随衬底温度的升高,薄膜在可见光区间的平均透光率先略有升高后出现明显降低的趋势,电阻率却反常地出现先增大后降低的变化。在三种衬底温度（RT,100和200℃）下,随着膜厚的增加,ITO薄膜结晶度提高,择优取向降低,电阻率呈不变或上升的趋势,透光率呈下降的趋势。当在Ar+H₂气氛下沉积时,在三种衬底温度（RT,100和200℃）下,随着H₂流量的增加,ITO薄膜的厚度变化不大,但结晶度呈增加的趋势;对于衬底温度为100和200℃时,在H₂流量较大时出现In的衍射峰。对其透明导电性能而言,随着H₂流量的增加,三种衬底温度下制备的ITO薄膜电阻率逐渐下降,透光率先基本上保持不变,后突然降低。与Ar下制备的ITO薄膜类似,Ar+H₂下制备的ITO薄膜随着膜厚的增加,其结晶度提高,透光率呈下降趋势;但是,ITO薄膜的电阻率在当T_s=100℃时先快速增大后趋于不变,而当T_s=200℃时逐渐下降。当在Ar下退火时,随着退火温度的升高,Ar和Ar+H₂两种气氛下制备的ITO薄膜结晶度均有所增大,电阻率有所降低,透光率先增加后降低。相对而言,Ar下制备的ITO薄膜电阻率表现出更明显的降低。当在空气下退火时,随退火温度升高,两种气氛下制备的ITO薄膜结晶度和透光率均有所增大。但对电阻率而言,Ar下制备的ITO薄膜降低,Ar+H₂下制备的ITO薄膜增加。随空气中退火温度的升高,高H₂流量下制备的透光率低的ITO薄膜中In的衍射峰逐渐消失,电阻率和透光率逐渐增大。