GdBa2Cu3O7-δ薄膜和Gd2CuO4缓冲层的化学气相沉积制备及结构研究

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【摘要】

：

GdBa_2Cu_3O_(7-δ)(GdBCO)由于具有高临界电流密度并且强磁场下电学性能优异,从而受到众多研究者的关注。金属有机化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)技术是一种制备薄膜材料的重要方法,它在大规模工业化生产GdBCO超导薄膜方面具有广阔的应用前景。本论文采用MOCVD技术在多晶、单晶基板上制备了GdBCO薄膜、Gd

【作者】

：

可望

【机构】

：

武汉理工大学

【发表日期】

：

2016年04期

【关键词】

：

GdBCO Gd2CuO4 外延薄膜化学气相沉积显微结构物相表征

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