当前,非晶硅薄膜太阳能电池以其成本低,工艺简单,能量回收时间短等优点得到了广泛关注。根据衬底状况和各层沉积顺序的不同,非晶硅薄膜太阳电池可分为p-i-n和n-i-p两种结构。n层和p层共同构建非晶硅薄膜太阳能电池的内建电场,两层直接影响电池的开路电压(Voc),短路电流密度(Jsc),所以n层对整个电池的性能起着重要的作用。本文通过射频等离子增强化学气相沉积(：RF-PECVD),以氢稀释的硅烷(SiH4)为反应气体,磷烷(PH3)为掺杂气体,制备了n型氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜。本论文研究磷掺杂浓度,辉光放电功率,衬底温度对非晶硅薄膜结构和光电性能的影响,薄膜微结构通过XRD和拉曼散射光谱进行表征,薄膜透过率通过紫外可见光分光度计来测试,折射率和消光系数通过NKD-7000W光学薄膜系统拟合得出,暗电导率通过高阻仪测试。结果表明：在本实验条件下沉积的硅薄膜都是非晶态；非晶硅薄膜折射率在R=0.8%(R=PH3/SiH4)时最大,消光系数随着掺杂浓度增加而增大,暗电导率随着磷掺杂浓度先增加后降低,薄膜表面粗糙度基本不受掺杂浓度影响；非晶硅薄膜折射率随着辉光功率增大先增加后减小,功率为70W达到最大值3.7,暗电导率在100W最大,最大值为9.32×10-3S/cm；衬底温度在60～300℃内变化,非晶硅薄膜暗电导率是先上升后下降,200℃时电导率值达到最大,为1.88×10-2S/cm。