由于具有独特的物理和化学性能,比如良好的沟道传输性能、合适的带隙、较高的载流子浓度和电子迁移率和良好的稳定性,一维半导体金属氧化物（比如ZnO、In₂O₃、SnO₂等）在未来的场效应晶体管领域具有广阔的应用前景。但是,由于CVD、MOCVD和MBE技术的成本非常高,而且制备工艺复杂,所以不适合应用于未来大规模集成电路中。水热法制备的一维材料表面粗糙不可控,对器件的性能影响非常大。静电纺丝技术由于其低成本、高效率、高产量及制备的纳米纤维（NF）形貌可控等优势,非常适合于未来的电子器件制备中。本论文的研究内容及实验结果主要由以下几个部分组成:1.基于Sr-In₂O₃ NFs网状薄膜传导层的E-mode FET被成功地由一步静电纺丝法制备。尤其是,我们利用紫外光照的方法显著地提高了NFs和衬底的粘附性,这对于器件的界面性能有很大的改善。经过实验,我们发现最佳的Sr掺杂浓度为3.6 mol%,器件表现出优异的电学性能,即载流子迁移率为3.67cm²V^-1s^-1,阈值电压为4.8 V,关态电流低至10^-11 A,饱和电流高至10^-3 A,开关比为10⁸。此外,当我们使用溶液法制备的高介电常数（High-k）的Al₂O₃薄膜替代传统的SiO₂薄膜时,器件的操作电压由40 V降低到4 V,降低了10倍,载流子迁移率提高到17.2 cm²V^-1s^-1。此外,我们利用制备的性能最佳的器件组成了电阻型的反相器,获得了完全反转的特性曲线和较高的增益（¹2.8）。2.在本项工作中,我们通过一步静电纺丝法静电纺丝技术制备了高性能的ZnO NFs TFT。我们发现可以控制NFs的退火温度来控制纤维的结晶性、表面粗糙度、以及电学性能。与之前报道的ZnO NFs TFT器件的电学性能作比较,可以发现我们制备的基于SiO₂介电层的器件表现出最佳的电学性能,包括较高的饱和电流¹.26×10^-6 A,较低的关态电流¹.54×10^-12 A,较高的载流子迁移率⁰.04 cm²V^-1s^-1,非常合适的阈值电压⁰.9 V,较大的开关比¹0⁶。同时,我们也用了溶液法制备的Al₂O₃薄膜替代传统的SiO₂薄膜作为介电层材料,操作电压由30 V降低到了3 V,场效应迁移率为0.2 cm²V^-1s^-1。同时我们测试了循环稳定性,结果表明器件具有非常好的稳定性。这些结果都表明ZnO NFs FET在未来的高性能、低成本、大面积和低能耗电子器件中具有很大的应用潜力。