钼栅网微细光刻电解加工试验研究

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钼由于其熔点高,密度低,热膨胀系数低,比强度高,优良的导热与导电性能,对熔融玻璃、熔盐及熔融金属有较高的防腐性,在电子、金属加工及航天工业中得到日益广泛的应用。光刻电解加工(又称为掩膜电解)将光刻技术与电化学加工技术相结合,能加工出微米甚至亚微米级的复杂开关,可用于精密光栅、超大规模集成电路、印刷电路等各种金属薄壁零件和微机电系统(MEMS)零件的制造。由于钼在电解过程中极易钝化,加大了电解的难度,本文采用H2SO4/Methanol有机电解液对其进行加工,有效解决了钝化的问题。本文针对钼电解特性,以有机溶液作为电解液,完成以下内容:1.根据钼微细电解加工特点,搭建试验平台;2.掩蔽阴极设计及电解加工过程中的电场分析。进行钼表面电场的有限元分析,为电解参数优化奠定基础;3.研究影响均一性的四个主要因素,并利用Taguchi方法对各个参数进行分析,获得最优参数;4.使用体积比为20%的H2SO4/Methanol有机电解液,进行钼栅网微细光刻电解试验研究,在厚100μm钼片上加工出所需图案,获得较高加工精度和尺寸一致性。试验结果表明:利用H2SO4/Methanol有机电解液能有效抑制钝化膜产生,当采用电解液浓度的体积比为20%,电流密度为1.5A/cm2,阴极直径为10mm,极间间隙为5mm时钼栅网均一性和表面质量最好。
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