In_xGa_1-xSb三元合金半导体晶体作为一种新型的半导体材料,具有晶格常数和吸收波长可调节的特性,其晶格常数和吸收波长可以分别在6.096～6.479?和1.7～6.8μm的范围内变化,该波长范围属于在红外区域,可以应用于红外光电探测器,以及红外区域的能量转化等,具有广泛的应用范围。但由于重力条件下的浮力对流、偏析以及成分过冷等问题,In_xGa_1-xSb晶体难以在重力条件下稳定生长形成组分均匀的大尺寸。关于重力对于In_xGa_1-xSb晶体生长的影响,本课题组联合日本JAXA利用实践十号返回式卫星进行了为期65小时的In_xGa_1-xSb晶体生长,并进行了地面对照试验。本文就实践十号返回式卫星的实验结果进行了分析及进一步探索,并对于有关成分过冷的问题,自行改装搭建了晶体生长平台,采用更为先进、稳定的激光作为热源,验证激光浮区法对于In_xGa_1-xSb晶体生长的影响。主要结论如下:1.空间微重力环境是良好的晶体生长环境,在微重力的条件下,浮力对流对于晶体生长的影响减小到最小,对比地面正常重力条件下的In_xGa_1-xSb晶体可以发现,微重力条件下,晶体的初始固液界面平稳,近似于平面,晶体生长开始后,其中的晶粒排列迅速趋向整齐并逐渐长大。微重力条件下生长的In_xGa_1-xSb晶体缺陷少,完整性好,晶体尺寸更大,生长速度更快,且元素分布更均匀;2.采用激光加热可以更好地控制熔区形状,且更简化的加热平台可以预留出更多的空间用于各种辅助设备的安装,如可以增加测温仪检测晶体生长温度,增加热像仪检测熔区内温度分布,以及其他原位检测手段。3.通过激光浮区法生长的晶体,由于不与容器壁接触,减少了由于体积膨胀造成的挤压带来的应力,因此所生长的晶体其缺陷大大减少。在晶体生长过程中对原料棒及熔区进行的温度测试表明熔区边界处保持了良好的温度梯度,而在熔区内部较好的保持了温度的稳定与均匀性。经X射线衍射分析、劳厄斑点分析等,可以证明在重力条件下也可以制得质量良好的In_xGa_1-xSb（x=0.03）晶体。由于晶体生长过程中析出固相与液相成分偏差较大,目前In_xGa_1-xSb晶体制备的难点依然在于高In含量的掺杂。探索稳定的晶体生长工艺,减少晶体在生长过程中熔区的不稳定性,以及精确地控制晶体生长界面的温度以维持晶体成分均匀性将是今后工作的重点突破方向。