高阻抗磁绝缘线振荡器的研究

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磁绝缘线振荡器(MILO)是一种性能优异的正交场吉瓦级高功率微波(HPM)源,是当前HPM领域研究的热点之一。MILO阻抗一般比较低(~10),负载电流比较大,而过大的电流容易导致负载区阳极等离子体的产生。为此,希望通过提高MILO的阻抗来降低电流、提高器件效率、改善以及拓宽MILO的应用。本文从理论分析、数值模拟和实验三个方面对高阻MILO进行了较为细致的研究,得到了一些有价值的结果,这为MILO的重频和长脉冲运行奠定了基础。理论分析方面。基于顺位流模型得到了磁绝缘电流。为了提高MILO功率效率的上限,需要降低负载电流与总电流比值,可以通过减小同轴二极管阻抗或增大平板二极管阻抗来降低该比值,为了保证磁绝缘,同时还需要相应提高工作电压。利用顺位流理论,得到了MILO的阻抗与阴阳极半径之比及与电压之间的关系,为数值模拟中提高MILO的阻抗提供了指导。数值模拟方面。与负载限制型MILO相比,锥形MILO在功率效率方面更有潜力,据此选定锥形MILO作为器件的基本结构。通过冷腔分析得到了MILO谐振模式的场分布、谐振频率和腔体Q值等基本的谐振特性。用PIC方法得到MILO阻抗与阴阳极半径之比及与电压之间的关系。对于给定模型,当阴阳极半径之比在2.1~3.1范围内增大时,MILO阻抗在23.5~32.4范围内相应提高;电压在560~940kV范围内增大时,MILO的阻抗在28.2~30.7范围内缓慢增大。在保证MILO正常工作的前提下,分析并得到了以下结论:频率越低,则阻抗上限越大;阻抗越高,则最优功率效率对应的电压越高。在优化过程中,综合利用以下手段来提高MILO的功率效率:阻抗和频率的选取、磁绝缘状态的调试、电子发射区起点和终点位置的调整,以及微波的提取和反馈的优化。典型模拟结果如下:20的MILO,在675kV、33.4kA条件下,输出微波功率为4.2GW,频率为2.45GHz,功率效率为18.0%;30的MILO,在810kV、26.9kA条件下,输出微波功率为5.5GW,频率为1.74GHz,功率效率为25.3%;45的MILO,在1.16MV、25.8kA条件下,输出微波功率为6.9GW,频率为580MHz,功率效率为23.1%。为了验证高阻MILO的可行性,本课题开展了相关的实验研究。基于20MILO的优化结果,设计加工了实验装置。典型实验结果如下:在电压665kV、电流32.3kA条件下,微波辐射功率为1GW,频率为2.59GHz,辐射模式为TM01。最后,分析了实验过程中导致高阻MILO阴极烧蚀、频率漂移、功率偏低的原因和并给出了相应的解决办法
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