在极限电流型氧传感器中，由于致密扩散障碍层与电解质层的烧结温度不同，所以为了解决共烧结不匹配这一问题，制备传感器的方法一般采用丝网印刷技术、瓷片复合工艺等方法。但是由于电解质层与致密扩散障碍层无法直接接触，对传感器的工艺要求较高，使传感器的传导无法取得良好的效果。磁控溅射工艺可以将8YSZ直接溅射到LSM基体上，使YSZ颗粒在LSM基体上生长，在接触良好的同时进一步减小氧传感器的厚度。本论文研究了LSM致密扩散障碍层的最佳烧结温度，在1350℃时可以达到致密而且形成闭孔，防止氧传感器在测试过程中在致密扩散障碍层一侧发生漏氧。采用射频磁控溅射法在LSM基底上溅射制备8YSZ氧敏薄膜，分析了在溅射过程的工艺参数中，反应气体Ar和O2流量的变化、溅射过程中基体温度以及溅射时间对YSZ薄膜微观形貌的影响。通过实验研究表明，射频磁控溅射方法制备YSZ薄膜的最优工艺参数为：工作气压为0.75Pa，射频功率为224W，溅射时间为1.5h，基体温度为550℃，薄膜生长速率为0.67μm·h-1。此参数所得到的8YSZ氧敏薄膜在几次的实验结果中厚度最薄且最为致密，可以达到氧传感器的基本要求。此工艺方法制作氧传感器在理论上是可行的，在实际的工艺制备中还需进一步优化参数，以达到更理想的实验结果。