半导体发光器件在各个领域都有着广泛的应用。随着GaN、ZnSe等宽带隙半导体蓝光发光器件的研制成功，宽带隙半导体发光材料越来越受到人们的重视。氧化锡（SnO₂）是一种具有直接带隙的宽禁带半导体材料，其室温禁带宽度约为3.62eV。与其它宽带隙半导体材料相比，SnO₂具有更宽的带隙和更高的激子束缚能（室温下为130meV），并且具有制备温度较低、理化性质稳定等特点；SnO₂是一种新的具有紫外-紫光及蓝光发光特性的半导体材料，要获得具有稳定发光特性的SnO₂薄膜，就需要对SnO₂的室温光致发光特性及其发光机理进行深入的研究。 SnO₂晶体具有四方金红石结构，其薄膜晶粒一般具有一定的择优取向。本征SnO₂晶体因氧缺位的关系而呈现n型半导体的特性，氧空位在禁带中形成的两个施主能级距导带底分别为0.03eV、0.15eV。SnO₂的光学带隙约为3.87～4.3eV，这使SnO₂薄膜在可见光区域具有较高的透过率；导电性能优良的SnO₂薄膜，因其高载流子浓度，使得其在中红外及远红外区域（等离子边约为3.2μm）有很强的反射率。 当前对SnO₂材料的光致发光性质的研究不多，主要集中在低温发光性质及纳米材料的发光性质上，其发光机理目前尚不清楚；目前也尚未见其他人有关于SnO₂及其掺杂薄膜的室温光致发光性质的研究。 本文分别利用常压化学气相沉积（APCVD）方法以及射频磁控溅射方法制备了SnO₂薄膜及其掺锑（Sb）薄膜（SnO₂：Sb）。对制备后的样品在不同条件下进行了退火处理。对样品分别进行了x射线衍射谱（XRD）、x射线光电子能谱（XPS）、原子力显微镜（AFM）以及电阻率、透射谱、光致发光谱的测量。 在本文中，采用APCVD方法制备了SnO₂薄膜。通过对SnO₂薄膜的室温（300K）光致发光谱（PL）测量，首次发现SnO₂薄膜在紫外—紫光区域（396nm）存在较强的光致发射峰；在蓝光区域（430nm，530nm）也存在光致发光峰。样品的X射线衍射谱（XRD）测量表明，利用APCVD方法制备的SnO₂薄膜为具有四方金红石结构的多晶薄膜；薄膜具有（211）方向的择优取向，并且随着退火