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随着人类社会的飞速发展,能源危机已成为人类最关注的问题。太阳能作为最环保、清洁,取之不竭、用之不尽的可再生能源受到了人们广泛的关注。铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池具有价格低廉、工艺简单和性能良好等优点,并且和硅晶太阳能电池具有同样高的转换效率,已成为未来的主流方向。但是由于CIGS太阳能电池中缓冲层硫化镉(CdS)禁带宽度偏小,会吸收蓝光以下波长的光,从而影响太阳能电池的转换效率。Cd1-xZnxS代替CdS作为太阳能电池的缓冲层可以提高铜铟镓硒太阳能电池的转换效率,降低成本,并且可以减少有毒物质Cd的使用和对环境的污染。本文主要采用化学水浴法制备不同配比的Cd1-xZnxS缓冲层材料,并研究了热处理温度对薄膜性能的影响,通过XRD、SEM、EDAX、光透过率等测试手段,最后得出在450℃热处理下的Cd0.9Zn0.1S薄膜表面平整均匀,光透过率高,禁带宽度Eg=2.56eV,晶格常数a=4.08814A,c=6.66059A,平均晶粒尺寸为24.9902nm。适合作为太阳能电池的缓冲层材料。而在CIGS中Ga地壳含量比较少,属于稀有金属,会影响未来CIGS太阳能电池的成本和发展前景。而用Al元素替代CIGS中的Ga元素,S元素部分代替Se元素可形成Cu(InAl)(SexS1-x)2化合物半导体材料。Al替代了稀有金属Ga,既可以扩大GIGS薄膜的禁带宽度,又降低了材料的成本。是未来薄膜太阳能电池发展的新方向。本文还对吸收层材料Cu(InAl)(SexS1-x)2薄膜作了初步探索,在500℃热处理20min的条件下已经形成了良好的晶格结构。禁带宽度随着Se含量的减少和S含量的增加,禁带宽度变化范围从Eg=1.08-1.51eV。薄膜中Cu和Al元素的成分比例仅为10%和2%左右,Cu和Al元素的缺失成为本实验的难点和瓶颈,但是为后续人员的研究提供了参考。