本文分三个部分对强电磁场和弱电磁场的电穿孔作了相关的研究。第一部分研究了弱电磁脉冲下质粒对酵母完整细胞及其原生质体的转化，以超宽频带横电磁波传输室（BTEM Cell）提供弱电磁脉冲场，酵母为54.S.cerevisiae DC5（a,leu2-3,leu2-112,his-39,can1-11），质粒为YRP12-54。酵母细胞悬液中加入质粒，混匀，弱电磁脉冲场处理，然后涂布于选择培养基上培养，2d后统计菌落数和转化率。结果表明弱电磁场能够使质粒进入细胞，酵母完整细胞在弱电磁场照射1min、5min、10min、20min、40min得到的转化率依次为4.6×10~2、5.2×10~2、1.46×10~3、2.78×10~3和1.0×10~3个／μgDNA。酵母原生质体在弱电磁场照射1min、5min、10min、20min、40min得到的转化率依次为6.6×10~2、2.16×10~3、4.88×10~3、5.24×10~3和1.24×10~3个／μgDNA。 第二部分研究强电磁脉冲下兔红细胞的电穿孔情况，以LN-101基因脉冲导入仪产生强电磁脉冲，兔红细胞在电脉冲作用的同时加入戊二醛固定，通过扫描电镜，直接观察到细胞膜产生电穿孔时被固定的瞬间形态，穿孔直径在0.5—2μm之间，穿孔位置都在红细胞的正中凹处。台盼蓝渗入实验表明，在4个脉冲、电压1000V、电容分别设为4μF、6μF、8μF、10μF时的可逆电穿率依次为17.4％、26.8％、31.6％、29.0％。在4个脉冲、电容为8μF、电压分别设为300V、600V、1000V时的可逆电穿孔率依次为14.0％、24.2％、30.8％。 本文第三部分研究了强电磁脉冲对药物细胞毒性的影响。人血细胞在电脉冲作用时加入环磷酰胺，然后离心去掉环磷酰胺，培养72小时，收获细胞，低渗，常规制片，统计产生染色体畸变和微核的分裂相。环磷酰胺的浓度依次为0.03μg／mL、0.3μg／mL、3μg／mL，无电场作用时，染色体畸变率分别为7.3％、12.0％、和18.3％；在电场作用下，染色体畸变率分别为12.3％、18.3％、和32.3％。