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为了解决由栅介质层过薄而引起的漏电流显著增加的难题,人们引入了一种具有高介电常数(高k)的材料来取代传统的SiO2。其中,铪基高k材料由于具备较高的介电常数和结晶温度、优异的界面特性和热稳定性以及低的频率色散和漏电流被广泛关注。本实验采用双离子束沉积系统在本底真空5×10~(-4) Pa和工作气压3.2×10~(-2) Pa条件下,于电阻率为3~8cm的Si衬底上成功制备了高质量的Ta_2O_5和HfTaO薄膜。着重探究了薄膜微结构、介电特性与辅源离子能量、掺杂含量之间的潜在关系。此外,还研