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雪崩光电二极管(APD)具有响应度高、响应速度快,体积小等突出优点,使得它在微弱光信号检测领域中得到了广泛的应用。它借助反向偏压的作用产生载流子的倍增效应,其性能参数与反向偏压、环境温度和背景光亮度等有着密切的联系。为此,论文在实验上研究了带前放Si-APD探测器的动态特性。论文在深入资料调研的基础上,给出了带前放Si-APD探测器动态特性表征参量的物理含义及其测试方法,并建立了可在不同环境温度下测量带前放Si-APD探测器动态特性参量的原理实验装置。实验测定了C30950E带前放Si-APD探测器在常温下的工作特性参数：最佳工作电压308V,电压响应度8.6×105V/W,噪声等效功率1.30×10-14W/(?)HZ,与厂家给出参数具有较好的一致性,这充分说明了测试方法和装置的可靠性。在此基础上,测量和分析了该探测器工作在不同环境温度和背景光强时的最佳工作点及其最佳工作点参数,结果表明随着背景光强的增大,最佳工作点电压降低,明显偏离厂家给出的最佳工作点位置,这对于APD光检测系统的优化设计具有重要参考价值。此外,随着背景光强的增大,最佳工作点的电压响应度下降,噪声等效功率和暗电流上升；随着环境温度的升高,最佳工作点电压也升高,其温漂系数大约为2.4V/℃；随着环境温度的升高,最佳工作点的电压响应度下降,暗电流和噪声等效功率上升。综上可见,论该文的研究成果对于带前放Si-APD探测器的动态特性及其优化应用研究具有一定的参考价值。