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非晶InGaZnO_4(a-IGZO)薄膜兼具高可见光透过率(80%avgT(29))、高迁移率(m(28)10~100 cm~2V-1s-1)、低制备温度和较好的均一性,作为薄膜晶体管(TFT)沟道层材料,在电子纸张、液晶显示等新一代平板/柔性显示领域具有广阔的应用前景。人们针对IGZO-TFT器件进行了系统的实验探索和理论分析,以期望实现其稳定性、响应速率等器件性能的优化。然而,对a-IGZO薄膜电输运性质的研究却很少,尚有很多问题亟待解决。本论文采用射频磁控溅射的方法,在不同基底温度下制备了超