超级电容器作为一种新型的储能装置，具有长寿命、高功率等特点，在诸多领域内有广泛的应用前景。MnO2具有原料易得，价格低廉，来源广泛，环境友好等优点。本文通过合成几种不同形态的二氧化锰，考察了影响二氧化锰电容性能的因素，并将二氧化锰与其它材料复合，以提高比电容。 1．利用低温固相法和化学沉淀法，合成了四种纳米二氧化锰，根据反应物和合成条件不同，产物表现为无定形结构和较为完整晶体结构两种。四种产物中，采用化学沉淀法以高锰酸钾与醋酸锰为原材料所合成的MnO2具有最高的质量比电容，0.1A/g电流密度下比电容为166F/g，2.0A/g电流密度下比电容为112 F/g。 2．比表面是影响MnO2电容性能的重要因素之一。在一定范围内比表面越大，相应的比电容也越大。但材料的比电容并非总是随比表面的增加而增加，当比表面在121m2/g以上时，比电容呈下降趋势。 3．材料的晶形结构对MnO2的比电容和大电流输出能力亦有显著影响。材料的晶体结构越完整，其比电容越大，大电流放电时电容保持率也越高。 4．少量的V2O5与MnO2材料的机械混合可以改善MnO2材料的大倍率放电性能。实验表明，添加2％比例的复合材料在2.0A/g电流密度下比电容为129 F/g，比未复合的MnO2提高15％。 5．共沉淀法制备的MnO2/La2O3复合材料其质量比电容明显提高。添加比例为5％的MnO2/La2O3复合材料在0.1A/g电流时比电容为205F/g，而相同条件下MnO2材料的质量比电容为166F/g，仅为前者的81％。 6．MnO2/La3+复合材料的大电流放电性能显著提高。添加比例为5％的MnO2/La3+复合材料在2.0 A/g时质量比电容为147 F/g，比相同条件下的MnO2材料前提高了31％。 7、，合成了K0.5Mn2O4·1.5H2O材料。与MnO2材料不同，K0.5Mn2O4·1.5H2O材料在循环伏安图上出现明显的氧化还原峰，表明K0.5Mn2O4.1.5H2O材料存在较高的赝电容。实验表明，虽然K0.5Mn2O4·1.5H2O比表面较低，仅为21m2/g，但在2mol．L-1(NH4)2SO4电解液中，0.1A/g的放电比电容仍可达到120 F/g以上。