近年来,由于半导体量子点具有像量子尺寸效应和表面效应这样一些新特性,人们对它的研究兴趣越来越浓厚。但是,高质量半导体量子点的制备仍然是研究中的一大障碍。到目前为止,研究人员开发了多种制备半导体量子点的方法,在这些方法中胶体化学法应该是最好的一种。但是,因为III-V量子点的制备相对于II-VI要困难得多,有关胶体量子点的研究主要集中在II-VI半导体量子点,而对III-V半导体量子点的研究则涉及较少。本文首先介绍了胶体化学法合成半导体量子点的历史、现状和未来发展方向。叙述了包括胶体化学法在内的三种制备半导体量子点的方法,概括了胶体化学法合成半导体量子点的优点。详细分析了胶体量子点的生长机理。胶体量子点的形成可以分为三个阶段,即成核、生长和表面钝化。为了获得单分散样品,成核和生长在时间上应该分开。最初合成的量子点具有较大的尺寸分布,所以需要用尺寸选择性沉析技术来窄化样品的尺寸分布。我们利用三辛基氧膦(TOPO)中InCl3与P(Si(CH3)3)3间的脱卤硅烷基反应来制备InP胶体量子点。采用甲苯/甲醇这一溶剂系统来分离InP量子点,从而获得尺寸分布较窄的样品。X射线衍射(XRD)图谱显示我们合成的InP量子点结晶性较好,具有与体相InP一样的闪锌矿结构。透射电子显微镜(TEM)照片显示量子点为球形或近球形,颗粒为分散实体,没有出现团聚现象。利用TEM照片还测量了量子点的直径和尺寸分布,最好的结果为25?和20.4%。随着量子点尺寸的减小,紫外-可见吸收谱和光致发光谱均呈现出蓝移现象,表现出明显的量子限制效应。