低介电材料作为电子元器件电子封装的重要组成部分,对微处理器芯片的性能有着重要的影响。电子封装材料能有效保证电子元器件之间的信号传输不受外界影响,保证了信号传递的稳定性。近些年人们对微处理芯片的性能要求逐渐提高,传统的封装材料已经不能满足当下的严苛要求,因此,研发设计新型的、能满足综合需求的材料来代替传统材料成为了当下研究的热点和难点。特种工程塑料是一类具有优秀机械性能、热稳定性、良好电性能以及耐氧化性和耐溶剂性的高性能聚合物。通过对聚合物材料的结构设计,可以在保证材料原有优异性能的同时,使材料具有较好的介电性能,这是研究新型材料的有效途径。向聚合物结构中引入氟原子,可以使材料具有较低表面能、较低极化率等特性。在诸多含氟聚合物中,含氟聚芳醚材料综合了聚芳醚材料与含氟材料的优异性能,表现出了优良的疏水性、光透过性、加工性、耐热性能和低介电常数。因此本论文主要围绕设计和制备具有低介电常数性能的含氟聚芳醚材料展开。本论文通过分子设计,合成了一种含有全氟壬烯氧基结构的双氟单体,利用亲核缩聚反应,将全氟壬烯氧基引入到聚醚醚酮分子结构中,成功制备出了一种含有全氟壬烯氧基的聚醚醚酮聚合物,并对这种聚合物的介电性能以及其他聚合物综合性能进行了研究。结果表明,材料在具有较好的热稳定性的同时具有较低的介电常数和较好的疏水性能。其中PEEK-PFN-5表现出最低的介电常数,10kHz下低至2.74,同时表现出最好的疏水性能。为了进一步降低材料的介电常数,通过水滴模板法制备了一种具有低介电常数的聚芳醚砜多孔材料。通过后接枝的方法制备了一种嵌段型含全氟壬烯氧基侧基的聚芳醚砜,之后以纯水提供湿度环境,以二氯甲烷为溶剂,采用水滴模板法的方法,制备了一系列多孔的聚合物薄膜。研究发现,材料本身具有较好的热稳定性和较低的介电常数。在对多孔材料制备工艺的探索中发现,聚合物在二氯甲烷中的浓度为15-30 mg/mL的条件下能够形成规则的蜂窝状孔,且制备的多孔聚合物薄膜具有较好的疏水性能(115.1)和较低的介电常数(1.57-2.19 10 kHz)。