SiCMOSFET(碳化硅场效应晶体管)由于其开关速度快,导通电阻小,耐压强度高,高温性能好等特点被广泛应用于、航空航天以及军工制造等场合。但是,随着科技的进步,这些场合的工作条件越来越苛刻,尤其是温度方面。功率器件长期处于高温环境中会发生物理结构的变化,进而造成其电气特性的变化,缩短器件寿命,严重时影响变换器的稳定性。本文对功率器件的高温可靠性进行了分析,并针对CREE公司的C2M0025120D,利用PSpice建立了考虑温度效应的SiC MOSFET模型,为功率器件在高温场合的应用提供了指导。本文首先对影响器件高温可靠性的静态参数和动态参数进行了理论分析,以SiC MOSFET开关过程为基础,建立了考虑温度参数的器件开关损耗模型,并在PSpice中进行了相关仿真验证。其次针对SiCMOSFET中的C2M0025120D,利用拟合曲线法和参数模板法进行了简单的建模,并分析了 CREE公司器件SPICE库文件的组成部分,对这三种方法得到的模型进行了仿真验证。然后考虑了器件在工作时出现的二阶效应,建立了基于物理公式的器件静态模型。为了使得模型特性曲线与实际器件更加吻合,本文以双曲正切函数为基本公式建立了考虑温度效应的SiC MOSFET模型,包括器件内核、结电容和二极管的模型,并提取了实际电路中的寄生电感应用于双脉冲仿真电路中。最后,针对前文中的理论分析和仿真结果,本文利用KEYSIGHT B1505A对C2M0025120D的静态特性进行了测试,并且搭建了可调节器件温度的双脉冲实验平台,分别在四种不同的温度下测试了功率器件的开关波形,实验结果与理论分析一致,与仿真结果吻合,验证了模型的准确性。