本论文的主要工作是利用霍尔测量和傅立叶变换红外吸收谱研究半绝缘磷化铟材料中Fe的掺杂激活与电学补偿机制，并利用霍尔测量和化学腐蚀测量方法研究InP材料的表面微缺陷，在此基础上揭示制备Fe激活效率高、电学性能好、均匀性好、完整性好的SI-InP材料的内在条件。通过对InP晶体的微缺陷和结构缺陷的研究发现：与P气氛相比在FeP₂气氛下的退火处理能有效的改善晶体结构的完整性和电学性质的均匀性。在InP材料中的位错密度几乎不受退火处理的影响。本文比较了掺Fe和非掺退火半绝缘（SI）InP材料中Fe杂质的分布，掺杂激活机理以及Fe原子与点缺陷的相互作用。原生掺Fe SI-InP中Fe的替位激活主要通过填隙-跳跃机制，但Fe原子易在位错周围聚集，与空位形成复合体缺陷，占据填隙位等，从而降低Fe的激活效率。在FeP₂气氛下退火非掺InP获得的SI-InP材料中，Fe原子的激活主要通过扩散过程的“踢出-替位”机制，退火前材料中存在的In空位使Fe原子通过扩散充分占据In位，同时抑制了材料中深能级缺陷的形成。因此，这种SI-InP材料的Fe激活效率高、电学性能好。