相干多孔硅(Coherent Porous Silicon,CPS)是空间规则性排列的,孔径尺寸大小均匀有序的多孔硅阵列。背部形貌良好的高长径比相干多孔硅在硅微通道板、环路热管和微针等领域被广泛应用。本文针对相干多孔硅的制备实验展开研究,以n型硅为研究对象,自主设计搭建光电化学实验装置。研究过程中,采用不同的工艺参数进行光电化学实验,经过机械抛光处理后,用金相显微镜观察刻蚀后相干多孔硅的背部形貌,研究刻蚀电压、电解液温度、HF浓度、光照强度等工艺参数对相干多孔硅背部形貌的影响;同时研究通道尺寸与刻蚀电流密度之间的关系,在考虑电解液扩散限制和暗电流对孔径控制影响的情况下,根据实验数据拟合得到等径相干多孔硅刻蚀电流的控制曲线。研究表明:刻蚀电压为0.6V,电解液温度为23℃,HF浓度为5wt%,光照强度为85mW/cm2的实验条件下制备的相干多孔硅背部形貌良好;并在最优实验条件下,根据刻蚀电流控制曲线控制光照强度,制备出形貌良好的相干多孔硅阵列。