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作为第三代半导体,碳化硅(SiC)材料具有宽禁带、高热导率、高饱和电子速度,高击穿电场等特性,这就决定了碳化硅器件可以在高温大功率下工作,在航天、航空、军事、石油勘探、核能、通讯等领域具有广泛的应用前景。研究SiC薄膜的最佳离子注入条件对半导体发光材料的开发具有重要的理论和现实意义。本文采用离子注入技术在单晶硅基体表面成功制备出多晶3C-SiC薄膜,研究了不同的C~+注入剂量、能量及热处理条件对SiC薄膜形成的影响,以及不同条件下生成的SiC薄膜的发光行为;研究了不同Er~(3+)注入剂量