气敏传感器可以及时、高效和准确地探测危害人体健康或者易燃易爆的气体,被广泛地应用到各个领域。以金属氧化物半导体为基的气体传感器具有价格低廉、灵敏度高、稳定性好以及便于携带等特点,得到了广泛的关注。MoO3是其中一种具有独到的应用价值的半导体气敏材料。因其具有独特的层状晶体结构、大的比表面积、高的电子传输效率以及大量的活性位点,成为近年来研究的热点。本论文简要地介绍了 MoO3的物理化学性质、应用以及在作为气体传感材料的优势和不足。本文采用条件温和的水热法和醇热法合成一系列MoO3纳米带、MoO3纳米片、MoO3纳米球、MoO3微米球、Au修饰的MoO3纳米带、In2O3@MoO3核壳结构纳米复合物,并采用XRD、SEM、TEM、XPS等手段对其进行了表征,对合成的产品分别进行了气体传感性能测试。我们得出以下结论:（1）通过比较不同形貌MoO3对有机还原性气体的气敏性能,发现MoO3纳米带的气敏性能优于其他形貌的MoO3,其最佳工作温度为340℃,对正丁胺气体具有较高的选择性,对100 ppm正丁胺气体的响应值为81.2。（2）通过原位还原法成功的制备了 Au修饰MoO3纳米带的纳米复合物。对不同比例的Au修饰的MoO3纳米带气敏性能测试表明:Au/MoO3纳米复合气敏材料的最佳工作温度比MoO3纳米带的最佳温度降低了大约80℃,在相对应的最佳工作温度下,4 wt%Au/MoO3气敏性能最佳,对100 ppm的正丁胺的灵敏度约为纯MoO3纳米带的3.5倍,Au修饰的MoO3纳米带仍然表现了对正丁胺气体的高选择性,但其恢复时间相应的有所延长。（3）通过两步水热法成功制备了不同摩尔比的In2O3@MoO3核壳纳米复合物,由于异质结的形成,In2O3@MoO3核壳纳米复合物气敏性能有明显的提升。摩尔比In/Mo为1:5的In2O3@MoO3核壳纳米复合物气敏性能最佳（对100 ppm正丁胺响应值为28.1）。本课题合成的In2O3@MoO3核壳纳米复合物相对于纯In2O3最佳工作温度下降了大约40℃,表现出了对正丁胺气体的高选择性,而且相较于纯MoO3灵敏度有所提高（响应值约为MoO3微米球的1.5倍）。