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本文采用微波等离子体化学气相沉积(MPECVD)方法，制备出高密度(108个/cm2)的尖锥顶端覆盖有碳化硅(SiC)颗粒的硅纳米尖锥阵列，纳米尖锥高径比为40，结构有利于场致电子发射。同时，提出“纳米颗粒自组装沉积辅以氢气等离子体刻蚀的机制”对硅纳米尖锥形成的机理进行了解释。
通过氢气等离子体处理的方法将上述尖锥顶端的SiC颗粒转化为非晶硅(a-Si)颗粒，同时锐化了尖锥。在此基础上，采用化学腐蚀法获得了尖锥顶端没有覆盖颗粒的硅纳米尖锥。
在上述研究基础上，发展了一种新的方法，利用金刚石纳米颗粒作为掩模，研制出尖锥顶端覆盖有金刚石纳米颗粒的硅纳米尖锥阵列。