随着磁性元件不断的向微型化、集成化、高频化方向发展，具有优良性能的软磁薄膜材料得到了深入的研究，并在记录磁头、垂直磁记录媒介、薄膜变压器以及电感器件等方面得到了广泛的应用。这些软磁薄膜材料必须具有高的饱和磁化强度(Ms)、低矫顽力(Hc)、较高的电阻率(ρ)、适当的各向异性场(Hk)以及良好的热稳定性等。　　Fe1-xCox(0.3＜x＜0.4)合金由于具有非常高的饱和磁化强度而备受关注，但是在这一成分范围内的Fe-Co合金具有较高的磁晶各向异性和较大的磁致伸缩系数，导致其并不能获得很好的软磁性能。研究发现，N元素添加到Fe-Co合金薄膜中，能够降低矫顽力，改善其软磁性;Zr元素的添加则能够降低合金的磁致伸缩系数。因此本文研究了FeCoZrN薄膜的结构和性能。　　应用直流反应磁控溅射法，以Fe65Co35合金靶材、Zr块为溅射材料，N2为反应气体，Ar为溅射气体，制备了(Fe65Co35)ZrN软磁薄膜，并对其结构、表面形貌、磁性能以及电性能进行表征。　　具体的研究结果如下:　　(1) Zr元素含量为8.7％的(Fe65Co35)91.3Zr8.7N薄膜，饱和磁化强度(Ms)随着N2/（N2+Ar）流量比(N2％)的增大而减小，当N2％为15％时薄膜的矫顽力最小为11.68Oe，电阻率则随着N2％值的增大而增大。　　(2)N2％为15％的Zr元素掺杂量不同的(Fe65Co35)ZrN薄膜，饱和磁化强度(Ms)随着Zr掺杂量的增多而减小，矫顽力和电阻率都随之逐渐增大，总体来看Zr块数量为1时，薄膜的综合性能最好。　　(3)N2％为15％的厚度不同的(Fe65Co35)91.3Zr8.7N薄膜，饱和磁化强度(Ms)的值随着薄膜厚度的增加基本不发生什么变化，矫顽力随之逐渐减小，电阻率则随之逐渐增大，总体来看溅射时间为30min时，薄膜的综合性能最好。　　(4)N2％为15％的衬底温度不同的(Fe65Co35)91.3Zr8.7N薄膜，饱和磁化强度(Ms)的值随着衬底温度的增大而增大，矫顽力则随之先增大后减小，但是矫顽力的数值仍然比室温时制备的薄膜矫顽力大，电阻率则随之先增大后减小，总体来看在室温下制备的薄膜综合性能最好。