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薄膜电阻桥是随薄膜技术的发展而诞生的一类薄膜火工品，主要包括半导体电阻桥，金属薄膜电阻桥，含能薄膜桥等。随着微机电系统技术（MEMS）的发展，金属薄膜桥脱颖而出，成为火工品领域研究的热点。本文在Cr薄膜电阻桥上集成B/Ti薄膜，将电能与化学能结合，提高薄膜电阻桥的一致性，安全性和可靠性。主要开展了以下几方面的研究工作：首先，采用磁控溅射法在Al2O3单面抛光陶瓷基片上制备Cr薄膜，研究了溅射参数对薄膜性能的影响。结果表明：Cr薄膜的沉积速率随工作气压的增大呈先增大后减小的趋势，随溅射功率的增大而增大。当薄膜厚度小于2μm时，薄膜的电阻率随着厚度的增加而迅速减小，当薄膜厚度大于2μm时，薄膜电阻率随厚度的增加变化率减小。优化的Cr薄膜溅射参数为背底真空度为6×10-4Pa，溅射气压为0.9Pa，溅射功率为128W，靶基距为7cm，溅射时间为1.5h。在优化条件下制备的Cr薄膜厚度为2.1μm，电阻率为126μ·m。其次，采用光刻—湿法腐蚀工艺图形化Cr薄膜制备电阻桥。研究了温度、腐蚀溶液浓度、pH值对Cr电阻桥腐蚀效果的影响。结果表明：腐蚀速率主要和温度有关，随温度的升高而增加。侧蚀量随温度的升高先减小后增加，30℃时侧蚀量最小，只有0.5μm，腐蚀速率为200nm/min。侧蚀随着硝酸铈铵溶液浓度的增加而减小，当溶液饱和时，侧蚀最小，为0.4μm。pH值主要影响Cr薄膜电阻桥的表面状况。第三，采用剥离法在Cr电阻桥焊盘处沉积约3.6μm厚的Cu膜，获得Cr薄膜电阻桥样品，对样品加载恒流进行点火性能测试。结果表明：电阻桥的点火效果主要跟点火电流和桥区尺寸相关。当点火电流较小（1.5A）时，样品难以发火。当点火电流增加到3A时，样品均能成功发火。当桥区线宽相同时，长度越长，点火效果越好，而当桥区长度相同时，线宽越窄点火效果越好。最后，采用磁控溅射和掩模图形化工艺在Cr电阻桥桥区上沉积40层，总厚度约5μm的B/Ti多层膜，其中第一层B膜厚度为1μm，其余每层厚度为0.1μm。测试结果表明，B/Ti反应多层膜能明显增强电阻桥点火效果，但是比涂敷黑火药点火效果差。