SiCOH薄膜的双频等离子体刻蚀研究

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【摘要】

：

超大规模集成电路中器件密度的提高、特征线宽的减小导致互连线之间的阻容耦合不断增大,从而使信号传输延时、功耗增大、噪声增大。为了解决这些问题,用低介电常数(low-k)和超低介电常数(ultralow-k, k < 2)材料替代传统的SiO2层间绝缘介质,成为可能的选择。作为低k和超低k材料中最有前景的候选者,多孔超低k的SiCOH材料受到广泛关注。作为应用于超大规模集成电路中的低k材料,SiCOH

【作者】

：

徐轶君

【机构】

：

苏州大学

【发表日期】

：

2009年04期

【关键词】

：

双频电容耦合等离子体 SiCOH薄膜刻蚀 CHF3等离子体

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