随着MEMS技术的不断发展，MEMS器件对封装的可靠性、稳定性、封装成本等方面要求也相应不断提高。因此，圆片级芯片尺寸封装成了MEMS封装技术发展的必然趋势。圆片通孔垂直互连技术是圆片级封装中实现芯片尺寸封装互连的一类可靠选择。本文的目的就是提出一种基于通孔垂直互连技术的新颖的圆片级芯片尺寸封装结构。 该结构采用了盖板、基板相结合的双层结构设计，主要通过四个步骤实现：一、采用湿法腐蚀和干法刻蚀相结合的刻蚀技术在薄硅片盖板上实现通孔刻蚀；二、采用由背面向上电镀的方法实现通孔内直孔部分的金属化；三、采用纯Sn焊料键合技术实现盖板与基板间的圆片键合；四、采用焊球布置，回流的方法实现凸点的制备。本文详细阐述了每个实验步骤的具体过程，并通过显微镜、X-ray、扫描电镜等仪器对实验结果进行了观察和分析，从而使实验参数得到了一定的优化。 在最优的工艺条件下完成该封装结构后，将圆片划成单个封装单元进行质量测试。文中采用剪切力测试方法对该结构的封接强度进行了测试，结果表明封接强度都在8MPa以上；采用氦气精检和氟油粗检相结合的方法对结构的气密性进行了测试，结果表明，在选取的样品中，90％检测漏率符合相关标准(如MIL—STD一833E)；采用热循环实验对该结构的可靠性进行了测试，结果发现结构的气密性有所降低，但不严重；最后还对通孔的电性能进行了测量，通孔的电阻约为50m(?)。 本工作主要在工艺方面实现了该封装结构，为进一步的实用化奠定了基础。