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第三代宽禁带直接带隙半导体ZnO因其室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,而被视为制备短波长光电器件如蓝、紫外发光二极管、室温紫外激光器等的最佳材料。为了实现不同的应用,ZnO的各种掺杂改性引起了科学工作者的重视并被广泛研究。近年来对铜掺杂氧化锌的研究吸引了越来越多的研究者,关于Cu掺杂实现ZnO的p型导电、室温铁磁性以及对光学、电学等性质的影响的报道时有出现,但这些报道主要集中于掺杂量变化对ZnO的导电性和室温铁磁性的影响,尚无不同工艺条件下定量掺杂氧化锌的结构、光、电以及光电、压电性质的详尽报道。本文立足于固定掺杂(掺铜3at%),采用磁控溅射的方式制备了ZnO:Cu薄膜,研究了不同工艺条件下氧化锌的光学、电学、压电等性质,主要内容如下:在石英基片上制备了ZnO:Cu薄膜,研究了衬底温度、溅射功率、氧氩比以及退火温度对薄膜的微观结构、表面形貌、光学、电学等性质的影响,探索了制备ZnO:Cu薄膜的最佳工艺。实验表明在我们所采用的工艺参数下制备的ZnO:Cu薄膜均具有纤锌矿结构且呈明显的C轴择优取向。在衬底温度为450°C,溅射功率为100w,氧氩比为90:30,退火温度为650°C时,薄膜C轴择优取向性最好,(002)峰半高宽最窄仅为0.204°,薄膜表面平整,薄膜电阻率高达108Ωcm,薄膜在可见光区的平均透过率高于80%。在制备的薄膜上采用真空蒸发的方式沉积Au叉指电极制备MSM结构紫外探测器,实验表明Au叉指和薄膜之间形成了良好的欧姆接触。在10V偏压下探测器的暗态电流均小于1nA,随着氧氩比的增加探测器的光响应先增大后减小,在氧氩比为90:30时探测器的光暗电流比为39。退火温度对探测器的光响应也是如此,随退火温度的增加,探测器响应响应先增大后减小。在Y切割的石英单晶上沉积了ZnO:Cu薄膜用于制备SAW温度传感器,对传感器的幅频响应特性测试表明,在中心频率为431.6MHz时,回波损耗仅为6.62dB。