近十年来,随着半导体技术的不断进步,器件的功能也不断强大。然而随之而来的制造难度也与日俱增。为了便于半导体生产商突破制造技术的瓶颈,生产导向型设计(DFM)应运而生。而作为生产导向型设计的重要组成部分,光刻分辨率增强技术(RET)和光学临近效应修正技术(OPC)得到了业界的普遍重视。随着半导体技术大步迈向32纳米技术节点,通常的RET和OPC已经无法满足更高技术代的要求,双重图形光刻技术(Double Patterning Lithography)、高折射率浸没式光刻技术(High Index Immersion Lithography)以及极紫外光刻技术(Extremely Ultra Violet Lithography)等光刻分辨率增强技术应运而生。然而,高折射率浸没式光刻所选择的液体和镜头组的开发仍然没有定论；EUV受制于过低的光源功率、光刻版的缺陷率、光刻胶的选择、过低的产能等诸多难题,在短时间内量产的可能性不大。目前,作为这些光刻分辨率增强技术之一的双重图形浸没式光刻技术,被认为是在2011年前实现32纳米甚至22纳米技术的唯一可行性解决方案。双重图形的原理是将一套高密度的电路图形分解成两套分立的、密度低一些的图形,然后将它们印制到目标圆晶上。双重图形被当作是一种能够使本已很难再降低的k1因子(表征光刻工艺复杂度的参数)得以继续减小的主流方案,在2006年,它已经加入ITRS中。目前此技术仍处在研发阶段,尚有若干技术问题需要研究解决。国外知名的研发机构乃至有实力的半导体大公司都在投入大量人力物力进行研发使其能成为解决32nm技术节点的可行性量产技术。国内由于技术代和国际上的差距,虽然现阶段无法量产32nm,但对其研发终究会指导未来的技术走向,并在现有设备前提不变的条件下或只需对现有光刻基础设施进行很小的改动,就可以有效地填补45nm到32nm,浸没式光刻与EUV之间的甚至更小节点的光刻技术空白。利用该技术提高设备的工艺能力,为解决光刻机的设备资本高投入从而降低成本做出贡献。