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实验采用溶液流延法制备了PVDF、CN-PVA/PVDF以及CN-PVA/PES等介电薄膜材料,测试其介电常数、介电损耗以及介电击穿电压等,并使用SEM、XRD、FT-IR、DSC及TGA手段测试研究了其表面结构形貌、结晶性能、热稳定性以及热分解温度等特性。在1KHz时,PVDF薄膜的介电常数最高可达9.8,介电损耗仅为0.035,其击穿场强为53V/μm。PVDF/CN-PVA复合薄膜的介电常数最大可达16左右,其介电击穿电压为71V/μm;当CN-PVA的质量占1/6,在5MHz下,其介电损耗值依然维持在0.05以下。PES/CN-PVA复合薄膜的介电常数最大为9.5左右,是纯PES薄膜材料的3倍;当CN-PVA的质量占1/10时,测试在5MHz下,介电损耗值依然维持在0.03以下;PES/CN-PVA复合薄膜介电击穿场强约80V/μm。薄膜厚度会通过“薄层效应”影响材料的介电常数,而且这种影响在薄膜厚度比较小(<10μm)时表现的更为明显。另外,测试频率的增大,普遍的会使薄膜介电材料的介电常数降低,会使材料的介电损耗增加。研究PVDF薄膜的SEM图像发现,其内部存在球晶状α相结晶以及β相局部有序结晶;而在PES/CN-PVA介电薄膜材料的SEM图像中,两种材料均匀地分散在复合材料表面,CN-PVA材料主要形成絮线状的结晶,而PES材料分子也有序排列着,二者的复合材料呈“海星状”均匀地分布在复合材料表面。此外,XRD和FT-IR图谱,证明了PVDF存在很强的α相结晶衍射峰,同时存在微弱的β相结晶衍射峰,同样证明了PES的分子虽然有序排列,但是其非晶衍射峰证明了其内部不存在结晶。PVDF薄膜的DSC曲线中存在α相及β相结晶的吸热峰,并计算出其α相结晶度为66.13%;PVDF/CN-PVA介电薄膜材料中PVDF薄膜材料中α相结晶的熔融峰位于160.94℃,结晶度为58.85%;以及β相结晶的吸热峰位于320.85℃,结晶度为6.43%;实验研究了PVDF薄膜的TGA曲线,其热分解温度为461.4℃。实验发现,复合材料PVDF/CN-PVA存在两个拐点温度分别为342.7℃和479.6℃,计算出其热分解温度为293℃左右。同样地,从PES/CN-PVA的TGA曲线中计算出其热分解温度为250.2℃左右。