得益于卓越的发光性能,InGaN材料被公认为是最有希望成为下一代发光二极管核心部分的半导体材料。然而其在高功率下工作时发生的“效率衰退”现象是目前该材料广泛应用所面临的急待解决的问题。A-平面生长InGaN量子阱与传统C-平面生长量子阱相比,能避免内在极化电场、量子限制斯塔克效应等带来的不良影响,具有更好的发光性能。在A-平面生长InGaN/GaN量子阱样品中我们观察到了缺陷态发光现象,这种现象是由高激发功率下的载流子迁移引起的。当激发功率增加到较高时,我们观察到缺陷态发光开始显现,同时伴随着蓝光带边复合效率衰退。我们采用包含弱局域态到缺陷态能级载流子迁移路径的载流子浓度响应的缺陷态复合模型解释实验结果,并通过InGaN多量子阱激发光谱与激发波长和温度的关系进一步证实我们的理论：导致InGaN/GaN多量子阱效率衰退的一个重要原因是载流子浓度响应的缺陷态复合。随后,我们给出了纳米柱结构加工方案,并通过实验证明该结构能有效缓解InGaN的效率衰退。论文正文分成五个章节,第一章为绪论,主要回顾了InGaN蓝光二极管的发展历程和面临的挑战,并针对效率衰退效应阐述了本论文的课题立意和研究目的；第二部分为实验技术,主要介绍了实验技术方法和样品制备过程；第三部分介绍了我们发现的载流子横向迁移引起InGaN量子阱效率衰退效应及主要证据；第四部分在第三部分的基础上提出了对载流子横向迁移的限制方案,从而改善效率衰退现象,并给出了改进后的效果对比；第五部分对已有工作进行了总结并展望了将来的进一步研究。