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纳米科技已经被公认为21世纪最重要的科学技术之一，当尺寸达到纳米数量级的半导体材料时便会出现表面效应、小尺寸效应、量子尺寸效应、宏观量子隧道效应等特殊性质致使半导体纳米材料表现出奇特的物理化学特性，从而被广泛应用于压敏电阻、量子元器件、导电材料等各个方面。二氧化锡作为一种宽禁带n型半导体材料，具有重要的研究价值。本文以SnO2粉末为原料，用化学气相沉积法（CVD）在不同的温度和生长时间内制备了不同形貌的SnO2纳米材料。并利用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、X射线衍射（XRD）、