金属氧化物薄膜晶体管(Metal Oxide TFT)与传统的硅基和有机半导体TFT相比拥有宽带隙、高均匀性、高稳定性以及载流子的高迁移率等优点。而氧化铟锌(IZO)由于其无毒、低温工艺制备、可见光范围内的高透明性正成为氧化物TFT研究的热点。本文制备和分析了Ta2O5、IZO薄膜并以IZO为有源层、Ta2O5为绝缘层、酞菁铅PbPc为修饰层、Al作为源漏电极和栅电极制备了不同结构的薄膜晶体管。主要内容如下：利用射频磁控溅射，使用纯度为99.99%的氧化钽陶瓷靶材，在氩气辉光放电过程中溅射出Ta2O5分子、淀积在玻璃基片上形成薄膜。在各个工作压强、溅射功率和气体流量下制备多组薄膜。用台阶测试仪测试了薄膜厚度，分析了溅射速率与各个工艺参数的关系。测试结果显示，在工作压强为0.5Pa、溅射功率为250W、氩气流量为12sccm时Ta2O5薄膜的溅射速率最佳。在最佳工艺参数下所制备Ta2O5薄膜的透射率在90%左右，薄膜透明性良好。利用射频磁控反应溅射方法，使用纯度为99.99%铟锌合金靶材，氩气作为工作气体，氧气为反应气体，制备IZO薄膜，使用原子力显微镜观测薄膜的表面形貌，结果显示所制备的IZO薄膜粗糙度很小，适合作为薄膜晶体管的有源层。以上述工艺为基础制备并测试了底栅结构薄膜晶体管和不同介质层厚度的顶栅结构薄膜晶体管。器件的测试结果显示，薄膜晶体管工作在耗尽模式，由于具有较为平整的沟道层-绝缘层界面，在相同栅极电压下，顶栅结构薄膜晶体管输出电流大于底栅结构薄膜晶体管。对比不同介质层厚度的顶栅器件，当介质层厚度减小时，器件的工作电流明显增大，从微安级增大到毫安级。