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锗材料具有比硅材料更高的电子和空穴迁移率，在通讯波段中(1.3～1.5μm)具有更高的吸收系数，并且与成熟的硅微电子工艺相兼容等优点，因此硅基锗微电子和光电子器件的研制引起人们广泛的兴趣。然而由于Ge的费米能级钉扎效应以及难以获得高浓度的磷(P)原位掺杂，使得n-Ge的欧姆接触成为一个难题。Ge的本征氧化层质量较差以及GeMOSFETs(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors)的栅漏电流较大，限制了Ge材料在MOS器件中的应用;同时伴随着器件尺寸的不断缩小，不可避免的会引入的一些小尺寸效应，制约了器件的进一步发展。绝缘体上的锗(GOI)结合了Ge的优点和SOI结构的优势，因此可以较好解决以上问题，其引入的埋氧化层实现了集成电路的介质隔离，同时GOI与成熟的硅标准工艺相兼容，可以广泛应用于低压、低功耗集成电路以及高温、抗辐射器件中。本文运用智能剥离（smart-cutTM）技术制备GOI衬底，并系统研究GOI的抛光技术;同时研究了不同退火温度和退火方式对其Al/n+-Ge接触特性的影响，为器件电极的制备打下基础。主要工作和研究如下: 1、我们首先对注氢Ge的退火剥离进行系统研究，并提出剥离模型，解释了注氢Ge片在一定的温度下（如400℃和450℃）可以实现整个表层剥落的机理;以此为基础采用smart-cutTM成功制备GOI衬底，具有良好的键合强度(2.4MP)和键合质量，键合界面清晰陡直; 2、对制备的GOI衬底进行系统的抛光研究，得出一种合适的抛光方法:机械抛光结合化学机械抛光。抛光后GOI衬底的RMS(root mean square)减小到0.543nm，XRD(X-ray diffraction)曲线的Ge峰由不对称变为对称，同时FWHM(full width at half maximum)约为121.7arcsec，表明晶体质量较好; 3、采用磷离子(P+)注入的方法获得高掺的n型Ge，掺杂浓度为1.5×1019cm-3，并以环形传输线模型为标准制备Al/n+-Ge接触，研究了不同退火温度和退火方式对其接触特性的影响，实验结果表明400℃常规退火4min和400℃快速热退火30s，Al/n+-Ge接触表现出欧姆接触特性，接触电阻率分别为4.3×10-5Ω·cm2和1.3×10-5Ω·cm2。