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该论文旨在研究水热法合成金属磷属化合物纳米材料,对其物相、形貌、晶格振动、光学及磁学性质等进行表征.利用氨水中单质磷的歧化反应,于140℃得到了30 nm的InP球状纳米晶,通过添加表面活性剂-硬脂酸钾,改变反应条件,得到了8 nm的球状纳米晶和沿垂直于[111]方向拉长的棒状纳米晶,这与溶液-液-固机理生长的[111]取向的Ⅲ-Ⅴ族纳米线不同.X-射线光电子能谱显示,纳米晶表面有羧酸根离子吸附,因此认为这种棒状形貌的获得是表面活性剂选择吸附(111)等极性晶面而限制其生长所致.纳米晶的Raman光谱显示了声子限域效应(TO、LO光学振动模不对称宽化与频率靠近).其吸收光谱显示了带隙蓝移(吸收边650 nm),发光光谱显示了宽带红光发射(685 nm).水热生长机理研究表明,InP纳米晶是由反应过程中原位生成的InPx(x=7~8)非晶前驱物分解而成.类似的,通过元素磷的歧化反应,水热制备了Co<,2>P纳米晶和Sn<,4>P<,3>纳米棒,并研究了Co<,2>P纳米晶的Raman光谱,其振动峰位较非晶Co-P产物蓝移.利用传统的Marsh测( )反应,在合适的酸性水热条件下,制得了表面不氧化、不水解的InAs纳米晶,其红外吸收光谱显示了蓝移,光学声子显示了限域效应;实现了Ga与As<,2>O<,3>的水热氧化还原反应,制得了35nm的GaAs纳米晶.类似的方法获得了CoAs纳米晶和SnAs微晶.研究了Ni-As<,2>O<,3>水热反应体系,在酸性和碱性条件下,分别得到了NiAs和Ni<,11>As<,8>纯相.其中Ni<,11>As<,8>具有单晶纳米片形貌(平均厚度22 nm),电子衍射与晶格条纹像分析表明,此单晶片是[331]择优取向的;其磁化曲线显示了顺磁特征,并伴有小的磁滞,这与体相材料不同.此外还获得了NiSb微晶.对于Ni-H<,3>PO<,2>反应体系,在酸性水热条件下获得了高产率的亚稳Ni<,12>P<,5>树枝状枝晶.