Mn掺杂Ge/Si基稀磁半导体薄膜的磁性研究

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在现代信息技术中,信息处理通过控制电子的电荷来实现,而信息的存储则通过控制电子的自旋来实现。如果可以同时利用电子的电荷和自旋这两种载体,就可以引导出全新的信息处理方式和信息存储模式。稀磁半导体材料中同时利用了电子的自旋和电荷,具有了半导体材料的电荷输运特性和磁性材料的信息存储特性,是一种新型的功能材料。由于过渡族或稀土族磁性元素的掺入,和传统的半导体相比,稀磁半导体具有了一些奇异的性质。本文中,我们通过磁控溅射方法制备了系列高Mn掺杂的纳米尺寸Mn_xGe_(1-x)和Mn_xSi_(1
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