【摘 要】
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纳米ZnO在光电子器件和微电子器件等领域具有广泛的应用前景,而目前纳米ZnO阵列粒度分布均匀性、高密度、结晶性能还达不到纳米ZnO阵列器件的要求。为了解决这些问题,本文用
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纳米ZnO在光电子器件和微电子器件等领域具有广泛的应用前景,而目前纳米ZnO阵列粒度分布均匀性、高密度、结晶性能还达不到纳米ZnO阵列器件的要求。为了解决这些问题,本文用磁控溅射在Si(111)衬底上分别制备了ZnO和GZO模板,再用设备简单、易操作的湿化学法合成纳米ZnO阵列,最后用场发射扫描电子显微镜研究了纳米ZnO阵列的形貌,主要工作如下：1.用湿化学法在Si(111)衬底上合成了规则六角形的纳米ZnO,但密度非常低。2.用磁控溅射在Si(111)上制备ZnO模板,在模板上化学合成纳米ZnO阵列。通过优化Ar与O2比例、退火温度、生长温度、反应溶液配比等模板制备和化学合成条件,合成出了高密度、粒度分布不均匀、C方向比较一致、比较规则的六角形的纳米ZnO阵列。3.用磁控溅射在Si(111)上制备GZO模板,在模板上化学合成纳米ZnO阵列。通过优化Ar与O2比例、退火温度等模板制备和化学合成条件,合成出了高密度、粒度分布均匀、C方向一致、规则的六角形的纳米ZnO阵列,这是文献报道中最佳的结果之一
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